イオンビーム加工装置および試料作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：作田康夫 , 井上学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004325811
Publication number (International publication number)：2006139917
Application date： Nov. 10, 2004
Publication date： Jun. 01, 2006
Summary：

【課題】本願の目的は、ウェーハをプロセスに問題となるGaのような元素で汚染することなく、ウェーハから解析用サンプルを分離方法および装置を提供することにある。【解決手段】本発明によるイオンビーム加工装置は、真空容器41を有しており、真空容器内には、デュオプラズマトロン81、イオンビームレンズ82、対物絞り83、などから構成されており、酸素イオンビーム照射とシリコンプローブ3により基板からマイクロサンプル6を摘出する。【効果】本願によると、半導体デバイス等の歩留向上のために、途中の検査がウェーハを割ることなく実施でき、さらにウェーハをプロセスに問題となるような元素で汚染することなく、解析用サンプルを分離する試料作製方法およびイオンビーム加工装置が提供される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

イオン源と、試料を保持する試料台と、前記試料にイオン源から放出するイオンビームを照射する照射光学系と、前記イオンビームにより分離加工された試料片を移送するためのプローブとを有し、前記イオン源で生成されるイオンビームは、元素種として不活性ガス種、酸素または窒素のいずれかを含み、前記プローブはシリコン、ゲルマニウムまたはカーボンのいずれかを含むことを特徴とするイオンビーム加工装置。

IPC (5)：

H01J 37/31 , G01N 1/32 , H01J 37/20 , H01J 37/317 , G01N 1/28

FI (5)：

H01J37/31 , G01N1/32 B , H01J37/20 Z , H01J37/317 D , G01N1/28 G

F-Term (11)：

2G052AA13 , 2G052AD32 , 2G052AD52 , 2G052EC14 , 2G052EC18 , 2G052GA35 , 5C001BB07 , 5C001CC07 , 5C034DD01 , 5C034DD03 , 5C034DD09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

試料作製方法及び装置
Gazette classification：再公表公報 Application number：JP1998003250 Applicant：株式会社日立製作所
基板抽出方法及びそれを用いた電子部品製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-330542 Applicant：株式会社日立製作所
集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-035569 Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (4)

半導体デバイスの製造方法及び処理方法並びにヘリコン波プラズマ型イオン源及び集束イオンビーム装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-308319 Applicant：株式会社日立製作所
集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-035569 Applicant：株式会社日立製作所
物体運搬方法、物体運搬装置、製造方法および製造された装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-023581 Applicant：キヤノン株式会社

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