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J-GLOBAL ID:200903002277904096
レベルシフタ回路
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
松下 義治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008005288
Publication number (International publication number):2009171084
Application date: Jan. 15, 2008
Publication date: Jul. 30, 2009
Summary:
【課題】素子数が少なくても動作が速いレベルシフタ回路を提供する。【解決手段】入力電圧Vinが接地電圧Vssになり、PMOS31及びNMOS21のゲート電圧(レベルシフタ部の入力端子の電圧)が電源電圧Vddになると、NMOS23がオンすることにより、PMOS33及びNMOS22のドレイン電圧(レベルシフタ部の出力端子の電圧)が電源電圧Vppになりやすくなり、出力電圧Voutが接地電圧Vssになりやすくなる。つまり、レベルシフタ回路の動作が速くなる。また、従来のレベルシフタ回路と比較し、インバータの数が少なくなるので、素子数が少なくなる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
レベルシフタ回路において、
入力された電圧を所定電圧にレベルシフトするレベルシフタ部と、
ソースが前記レベルシフタ部の出力端子に設けられ、ドレインに電源電圧を供給され、前記レベルシフタ部の入力端子がハイになるとオンするNMOSと、
を備えることを特徴とするレベルシフタ回路。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (10):
5J056AA11
, 5J056BB02
, 5J056BB52
, 5J056CC21
, 5J056DD13
, 5J056DD28
, 5J056EE04
, 5J056EE07
, 5J056EE11
, 5J056FF08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
レベルシフタ回路及び情報再生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-160878
Applicant:ソニー株式会社
Cited by examiner (6)
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特開昭59-216327
-
レベルシフタ回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-332593
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体論理回路および回路レイアウト構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-237760
Applicant:松下電器産業株式会社
-
水上恒久施設
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-250234
Applicant:和泉泰弘
-
半導体集積回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-158813
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
レベル変換回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-238106
Applicant:三洋電機株式会社
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