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J-GLOBAL ID:200903002302323427

半導体装置作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991185501
Publication number (International publication number):1993251340
Application date: Jun. 30, 1980
Publication date: Sep. 28, 1993
Summary:
【要約】【目的】単結晶とアモルフアスの中間状態の半導体を得ること。【構成】基板上に導体または半導体の電極を形成した後、該電極上にスパッタ法により珪素またはゲルマニュームを主成分とするアモルフアス構造の半導体を形成し、その後前記アモルフアス構造の半導体を200°C以上結晶化温度以下に加熱することを特徴とする。
Claim (excerpt):
基板上に導体または半導体の電極を形成した後、該電極上にスパッタ法により珪素またはゲルマニュームを主成分とするアモルフアス構造の半導体を形成し、その後前記アモルフアス構造の半導体を200°C以上結晶化温度以下に加熱することを特徴とする半導体装置作製方法
IPC (4):
H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01L 29/78 311 Y ,  H01L 31/04 V
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭55-050663
  • 特開昭55-078524
  • 特開昭52-122471

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