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J-GLOBAL ID：200903002306090290

磁気的センサおよび信号変換回路

Inventor： 遠藤 みち子 ,  清水 信吉 ,  倉島 茂美 ,  川元 美詠子 ,  梶谷 浩 ,  丹治 成生
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994024579
Publication number (International publication number)：1995004988
Application date： Feb. 23, 1994
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 磁気抵抗効果素子から成る磁気的センサに関し,繰り返し動作の間に,磁気抵抗効果素子を構成する複数の強磁性薄膜ストライプの磁化が初期の方向に対して反転することによって生じる検出感度の低下を防止することを目的とする。【構成】 円柱状の磁石の磁極面の中心から偏倚した位置,好ましくは,検出すべき磁性体対象物の運動方向に垂直な方向に偏倚した位置に,磁気抵抗効果素子を配置する。この配置によって,磁気抵抗効果素子に対して偏倚方向に平行なバイアス磁界が印加され,磁気抵抗効果素子を構成する複数の強磁性薄膜ストライプのすべての磁化が同一方向に向けられる。したがって, 外部磁界が繰り返し印加されても磁化の反転が生じないので,検出感度が安定になる。

Claim (excerpt)：

検出すべき対象物に対向する一表面を磁極として有する磁石と,該磁極面に平行に延伸し且つ直列に接続された複数の強磁性体薄膜ストライプから成り且つ該磁極面に沿って該磁極面の中心から偏倚して配置された磁気抵抗効果素子とを備えたことを特徴とする磁気的センサ。

IPC (2)：

G01D 5/245 ,  G01P 3/488