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J-GLOBAL ID:200903002313809607
表面観察方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996091181
Publication number (International publication number):1997281124
Application date: Apr. 12, 1996
Publication date: Oct. 31, 1997
Summary:
【要約】【解決手段】 原子間力顕微鏡(AFM)により高分子表面を観察する際に、該高分子表面に金属を含むプラズマによる表面処理を行う表面観察方法。【効果】 原子間力顕微鏡により高分子表面の形態を大気圧中で極めて明確にかつ鮮明に観察できる。
Claim 1:
原子間力顕微鏡(AFM)により高分子表面を観察する際に、該高分子表面に金属を含むプラズマによる表面処理を行う表面観察方法。
IPC (3):
G01N 37/00
, G01B 21/30
, G01N 1/28
FI (4):
G01N 37/00 F
, G01B 21/30 Z
, G01N 1/28 N
, G01N 1/28 F
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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原子間力顕微鏡用試料作成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-204126
Applicant:キヤノン株式会社
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イオンスパッタ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-087960
Applicant:株式会社真空デバイス
-
特公平6-103177
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特許第3447175号
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薄膜製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-212457
Applicant:三井東圧化学株式会社
-
特開平3-274261
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多層膜厚さ基準物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-200085
Applicant:鐘淵化学工業株式会社
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表面観察装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-038104
Applicant:株式会社日立製作所
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Cited by examiner (3)
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原子間力顕微鏡用試料作成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-204126
Applicant:キヤノン株式会社
-
イオンスパッタ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-087960
Applicant:株式会社真空デバイス
-
特公平6-103177
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