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J-GLOBAL ID:200903002314735437

半導体製造用部品及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000127840
Publication number (International publication number):2001302353
Application date: Apr. 27, 2000
Publication date: Oct. 31, 2001
Summary:
【要約】【課題】低熱膨張率、軽量の特性を有しつつ、かつ被研削性の優れた快削性の窒化珪素質焼結体からなる半導体製造用部品を提供する。【解決手段】窒化珪素を主成分とし、珪素以外の金属元素の含有量が1%以下、相対密度が70%以上、最大ボイド径が100μm以下、ビッカース硬度が12GPa以下、および破壊靭性が5MPa・m1/2以下の焼結体からなることを特徴とする。
Claim 1:
窒化珪素を主成分とし、珪素以外の金属元素の含有量が1重量%以下、相対密度が70%以上、最大ボイド径が100μm以下、ビッカース硬度が12GPa以下、および破壊靭性が5MPa・m1/2以下の焼結体からなることを特徴とする半導体製造用部品。
F-Term (17):
4G001BA01 ,  4G001BA07 ,  4G001BA09 ,  4G001BA12 ,  4G001BA32 ,  4G001BA62 ,  4G001BB01 ,  4G001BB07 ,  4G001BB09 ,  4G001BB12 ,  4G001BB32 ,  4G001BC13 ,  4G001BC45 ,  4G001BC48 ,  4G001BD11 ,  4G001BD12 ,  4G001BD16

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