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J-GLOBAL ID:200903002314936831
高効率で放射線を発するデバイスおよびそのようなデバイスの製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
,
Agent (2):
鮫島 睦
, 田村 恭生
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009190302
Publication number (International publication number):2009295999
Application date: Aug. 19, 2009
Publication date: Dec. 17, 2009
Summary:
【課題】アウトカップリング効率が改善されて、ある放射線出力パワーに対するパワー消費が低減され、また、デバイスの速度が増加し、よって、光チャンネルあたりのシリアル帯域幅が増加された放射線(好ましくは光)を所定の波長にて発するデバイスを提供する。【解決手段】放射線を所定の波長にて発するデバイスが、電荷キャリアの再結合によって該放射線が生じる活性層を備えるキャビティを含み、該キャビティは、該電荷キャリアについての閉じ込め特徴を含む放射線閉じ込め空間を有し、該デバイスは、実質的にランダムな回折格子構造を有する少なくとも1つのエッジを含む。【選択図】図12
Claim (excerpt):
放射線を所定の波長にて発するデバイスであって、該デバイスは、電荷キャリアの再結合によって該放射線が生じる活性層を備えるキャビティを含み、該キャビティは、該電荷キャリアについての閉じ込め特徴を含む放射線閉じ込め空間を有し、該デバイスは、実質的にランダムな回折格子構造を有する少なくとも1つのエッジを含む、デバイス。
IPC (1):
FI (2):
H01L33/00 172
, H01L33/00 432
F-Term (20):
5F041AA04
, 5F041AA21
, 5F041AA31
, 5F041BB33
, 5F041CA04
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA74
, 5F041CA88
, 5F041CB11
, 5F041CB15
, 5F041CB25
, 5F041DA03
, 5F041DA20
, 5F041DB07
, 5F041DB08
, 5F041EE17
, 5F041EE25
, 5F041FF06
, 5F041FF11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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