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J-GLOBAL ID：200903002316571300

有機半導体トランジスタ

Inventor： 佐藤 尚武 ,  村井 啓一 ,  宮崎 元
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (2)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003154907
Publication number (International publication number)：2004356538
Application date： May. 30, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】電荷移動度及びオン電流/オフ電流比のそれぞれが優れた有機半導体トランジスタを提供する。【解決手段】電荷搬送性を示す有機材料で被覆修飾されている金属微粒子を半導体層としてソース電極及びドレイン電極間に配置された有機半導体トランジスタを提供する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上にゲート電極、絶縁材料層、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層を有する有機半導体トランジスタにおいて、該半導体層が電荷搬送性を示す有機材料で被覆修飾されている金属微粒子により構成され、前記ソース電極と前記ドレイン電極間に少なくとも一つ以上の前記金属微粒子が配置されていることを特徴とする有機半導体トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/786 ,  H01L21/205 ,  H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/205 ,  H01L29/28

F-Term (22)：

5F045AB40 ,  5F045EB20 ,  5F110AA05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HM02