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J-GLOBAL ID：200903002320388471
半導体装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997110541
Publication number (International publication number)：1998303213
Application date： Apr. 28, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、電流利得が大きく信頼性の高いヘテロ接合バイポーラ型の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10と、コレクタ層14と、コレクタ層14上に形成されたベース層18と、ベース層18上に形成され、III族元素としてInを含み、V族元素としてPを含むIII-V族化合物半導体より成る第1のエミッタ層20と、第1のエミッタ層20上に形成され、In及びAlを含まず、V族元素としてP及び/又はAsを含むIII-V族化合物半導体より成るエミッタ保護層22と、エミッタ保護層22上に形成された第2のエミッタ層24と、ベース層18に接続されたベース電極36とを有している。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成されたベース層と、前記ベース層上に形成され、III族元素としてInを含み、V族元素としてPを含むIII-V族化合物半導体より成る第1のエミッタ層と、前記第1のエミッタ層上に形成され、In及びAlを含まず、V族元素としてP及び/又はAsを含むIII-V族化合物半導体より成るエミッタ保護層と、前記エミッタ保護層上に形成された第2のエミッタ層と、前記ベース層に接続されたベース電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
