パターン読み取り装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松岡修平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997065333
Publication number (International publication number)：1998247235
Application date： Mar. 04, 1997
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】光路を斜めに設定した場合には光学系が占める容積が大きくなると共に、像が歪曲するという問題があり、ビームスプリッターを配置した場合には像面に達する光量が斜め入射の場合の半分程度に低下するという問題がある。【解決手段】シリコンウェハー1に対向して設けられた対物レンズ20と、この対物レンズ20を介して表面1aの曲率中心と共役な位置に配置された光源である発光ダイオード10と、発光ダイオード10よりシリコンウェハー1から離れた側に配置された結像レンズ32と、表面1aで反射されて対物レンズ20および結像レンズ32を介して形成されるパターン像を読み取るCCDイメージセンサ等の撮像素子33とを備えている。対物レンズ20と結像レンズ32とは、互いに光軸を一致させて配置されており、この光軸は表面1aに対して垂直に設定されている。

Claim (excerpt)：

読み取り対象であるパターンが付された反射面である対象面に対向して設けられた対物レンズと、前記対物レンズを介して前記対象面の曲率中心と共役な位置に配置され、前記対物レンズを介して対象面を照明する微小面積の光源と、前記対物レンズに光軸を一致させて前記光源より前記対象面から離れた側に配置された結像レンズと、前記対象面で反射され、前記対物レンズおよび前記結像レンズを介して形成される前記パターンの像を読み取る撮像素子とを備えることを特徴とするパターン読み取り装置。

IPC (2)：

G06T 1/00 , G02B 6/00 301

FI (2)：

G06F 15/64 320 C , G02B 6/00 301

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

ホトマスク検査方法および検査装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-174032 Applicant：松下電子工業株式会社
光波測距計
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-113173 Applicant：松下電工株式会社
光学装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-342043 Applicant：株式会社ニコン

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