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J-GLOBAL ID：200903002342546631

液晶素子の過渡的誘電率測定法及び測定装置

Inventor： 小林 駿介 ,  木村 宗弘
Applicant, Patent owner： 東京農工大学長
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991227408
Publication number (International publication number)：1993066376
Application date： Sep. 06, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は液晶電気光学素子において、ウイーンブリッジ発振回路および周波数/電圧変換回路を用いて過渡的誘電率を測定法に係り、液晶表示パネルの特性評価等に供するものである。【構成】 液晶セルを入力側に接続ウイーンブリッジ発振回路と、その出力端に接続した周波数/電圧変換回路と、前記発振回路の出力側より入力側に帰還する発振振幅安定化回路とより成り、印加電圧による液晶分子の動きによって過渡的に変化する誘電率の変化を周波数-電圧変化し、電圧の変化として読取り、表示するようにした測定法及び装置である。

Claim (excerpt)：

電源に接続した強誘電性液晶セルと、この液晶セルを入力側に接続したウイーンブリッジ発振回路と、前記ウイーンブリッジ発振回路の出力端に接続した周波数-電圧変換回路とより成り、前記ウイーンブリッジ発振回路は発振回路の最終段より入力側に帰還するよう接続された緩衝増幅回路および発振回路の振幅を安定化する緩衝増幅回路およびバイアス制御回路とを順次接続して発振安定化回路を構成し、印加電圧による液晶分子の動きによって過渡的に変化する誘電率の挙動をウイーンブリッジにより読みとり、これを周波数-電圧変換し、液晶素子の過渡的誘電率の変化に対応した挙動を表示するようにしたことを特徴とする液晶素子の過渡的誘電率測定法。

IPC (5)：

G02F 1/13 505 ,  G01M 11/00 ,  G01R 27/26 ,  G02F 1/137 ,  G01N 27/22