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J-GLOBAL ID：200903002352034957

電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法

Inventor：
黒川 正樹

About 黒川 正樹


Applicant, Patent owner：
株式会社アドバンテスト

About 株式会社アドバンテスト


Agent (1)： 龍華 明裕
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000304234
Publication number (International publication number)：2002110531
Application date： Oct. 03, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ウェハにパターンを精度よく露光することができる電子ビーム露光装置、露光方法、及び半導体素子製造方法を提供する。【解決手段】 電子ビームによりウェハにパターンを露光する電子ビーム露光装置であって、ウェハが載置されるウェハステージと、ウェハステージを第1の方向に案内する第1のステージガイドと、第1の方向と交差する第2の方向にウェハステージを案内する第2のステージガイドとを備え、ウェハステージの移動方向は、第1の方向及び第2の方向と角度をなす。
Claim (excerpt)：
電子ビームによりウェハにパターンを露光する電子ビーム露光装置であって、前記ウェハが載置されるウェハステージと、前記ウェハステージを第1の方向に案内する第1のステージガイドと、前記第1の方向と交差する第2の方向に前記ウェハステージを案内する第2のステージガイドとを備え、前記ウェハステージの移動方向は、前記第1の方向及び前記第2の方向と角度をなすことを特徴とする電子ビーム露光装置。
IPC (6)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 9/00 ,  H01J 37/20 ,  H01J 37/305 ,  H01L 21/68
FI (7)：
G03F 7/20 504 ,  G03F 9/00 A ,  H01J 37/20 Z ,  H01J 37/305 B ,  H01L 21/68 K ,  H01L 21/30 541 L ,  H01L 21/30 503 A
F-Term (15)：
2H097AA03 ,  2H097CA16 ,  2H097KA29 ,  2H097LA10 ,  5C001AA01 ,  5C034BB07 ,  5F031CA02 ,  5F031KA06 ,  5F031MA27 ,  5F046CC01 ,  5F046CC13 ,  5F046CC16 ,  5F056CB21 ,  5F056EA08 ,  5F056EA14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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