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J-GLOBAL ID：200903002356826971

希土類元素を含む分散粒子系酸化物薄膜とその製造方法

Inventor： 安達 裕 ,  高橋紘一郎 ,  鈴木 宏行
Applicant, Patent owner： 科学技術庁無機材質研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996148246
Publication number (International publication number)：1997310169
Application date： May. 17, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高い配向性を有し、ピン止め点が薄膜中に均一に導入された、磁場に強く高臨界電流密度の超伝導酸化物薄膜や、担体あるいは基板上に活性度および反応速度の制御が可能な触媒および反応速度の制御が可能な触媒およびセンサー素子の新しい製造方法を提供する。【解決手段】 スパッター装置を用い、希土類元素および銅元素をターゲットとして、これらを順次スパッターすることによって基板上に金属多層膜を形成し、次いで酸化性雰囲気中で熱酸化処理して粒子分散系酸化物薄膜とする。

Claim 1：

1種以上の希土類元素と銅とを含有し、基板表面に粒子分散された状態の薄膜として存在することを特徴とする希土類元素を含む粒子分散系酸化物薄膜。

IPC (5)：

C23C 14/08 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/34 ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/00

FI (5)：

C23C 14/08 ZAA L ,  C01G 1/00 S ,  C23C 14/34 Q ,  C30B 29/22 501 H ,  H01L 39/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-037104
  
• 特開平1-152772
  
• 特開平2-311396