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J-GLOBAL ID：200903002361937650

半導体装置の実装方法

Inventor： 藤原 亮 ,  山下 俊光 ,  小澤 進 ,  北山 憂子
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995263751
Publication number (International publication number)：1997106999
Application date： Oct. 12, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低弾性率の樹脂を用いてダイスボンディングを行うことにより、ICの反りを低減する。【解決手段】 半導体装置の実装方法において、実装基板11上に、弾性率約45.0kg/cm2 以下の樹脂12を塗布し、この樹脂12上にIC14をダイスボンディングする工程と、前記実装基板11上の電極17とIC14の電極17間を金属ワイヤ18によりワイヤボンディングする。

Claim (excerpt)：

半導体装置の実装方法において、(a)実装基板上に弾性率約45.0kg/cm2 以下の樹脂を塗布する工程と、(b)該樹脂上に半導体装置をダイスボンディングする工程と、(c)前記実装基板上の電極と半導体装置の電極間をワイヤボンディングすることを特徴とする半導体装置の実装方法。

IPC (2)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/52

FI (3)：

H01L 21/60 301 D ,  H01L 21/52 F ,  H01L 21/52 G