拡散領域形成手段を改良した半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高月亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991089574
Publication number (International publication number)：1993152227
Application date： Mar. 28, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】浅い接合を形成でき、拡散濃度の制御性が良く、欠陥やダメージ発生もなく、毒性の問題もない、有利な手段で拡散領域を良好に形成することが可能な半導体装置の製造方法の提供。【構成】半導体基体1上に不純物を含有するアモルファスシリコン膜等の半導体膜2を300〜500Å程度形成し、この半導体膜2にエキシマレーザー光を500〜1000mJ/cm2 程度照射して半導体基体1に不純物を拡散させて拡散領域31,32を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に不純物を含有する半導体膜を形成し、この半導体膜にエキシマレーザー光を照射することにより半導体基体に不純物を拡散させて拡散領域を形成する工程を含む拡散領域形成手段を改良した半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/22 , H01L 21/225 , H01L 21/336 , H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-208214
特開平2-091932
特開昭63-208214

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