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J-GLOBAL ID：200903002372557204

内部狭窄型半導体レーザ装置及びその製造方法

Inventor： 粒来 保彦 ,  山本 基幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992190330
Publication number (International publication number)：1994037393
Application date： Jul. 17, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 内部狭窄型半導体レーザ装置に形成するストライプ状の溝幅の制御性を高めかつ異方性エッチングによるダメージを回避できる構造とその製造方法を提供する点。【構成】 電流阻止層とダブルヘテロ接合間にエッチングストップ層を設けると共に、電流阻止層を厚さの違う2層構造とし、厚い層を異方性エッチングで、薄い層を等方性エッチングにより処理して、異方性エッチングによるダメージの影響を抑制し、かつ溝の幅の制御性を高めて内部狭窄型半導体レーザ装置の特性を向上する。

Claim (excerpt)：

GaAs基板と,この基板に重ねてかつ格子整合するIn0 . 5(G a1 - W AlW ) 0 . 5 P 活性層及びIn0 . 5 (G a1 - Y AlY ) 0 . 5 P(1 ≧y>w ≧0)クラッド層から成るダブルヘテロ接合部と,このダブルヘテロ接合部に重ねてかつ格子整合するIn0 . 5 (G a1 - U AlU ) 0 . 5 P(0 ≧u >0.3)で構成するエッチングストップ層と,このエッチングストップ層に重ねてかつ格子整合するストライプ状の電流注入部を備える電流阻止層と,この電流注入部ならびに電流阻止層に重ねてかつ格子整合するコンタクト層とを具備し,前記電流阻止層が前記GaAs基板に近い側から順に、In0 . 5 (G a1 - X AlX ) 0 . 5 P から成る第一層ならびにG a 1 - Z AlZ As(0≦Z ≦1)から成る第二層とから成り、前記第一層及び第二層の一部をストライプ状として電流注入部を構成することを特徴とする内部狭窄型半導体レーザ装置