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J-GLOBAL ID：200903002377531351

半導体装置の製造方法

Inventor： 池田 晴美
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005277189
Publication number (International publication number)：2007088323
Application date： Sep. 26, 2005
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：

【課題】レーザアニールを行う前に、パターン上にレーザ光を全反射する反射パターンを形成することで、レーザアニールの際のパターン損傷、消失等の発生防止を可能にする。【解決手段】パターン(ゲート電極)13が形成された半導体基板11にレーザ光Lを照射する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記レーザ光Lを照射する前に、前記パターン13上に絶縁膜19を形成する工程と、前記パターン13上の前記絶縁膜19との界面において前記レーザ光Lを全反射するもので傾斜面を有する反射パターン21を形成する工程を備えたことを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

パターンが形成された半導体基板にレーザ光を照射する工程を備えた半導体装置の製造方法において、 前記レーザ光を照射する前に、前記パターン上に絶縁膜を形成する工程と、 前記パターン上の前記絶縁膜との界面において前記レーザ光を全反射するもので傾斜面を有する反射パターンを形成する工程 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L21/265 602C ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301F

F-Term (12)：

5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG41 ,  5F140BH14 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CE18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-158108   Applicant：ソニー株式会社