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J-GLOBAL ID：200903002382745823
装置保護膜
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993338849
Publication number (International publication number)：1994267941
Application date： Dec. 01, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】低応力で紫外線透過性を有する装置保護膜の提供。【構成】紫外線透過性のSiN 膜を有する装置保護膜において、この膜をプラズマCVD法で、組成比Si/Nが0.75以上かつ0.87以下の範囲で構成し、前記SiN 膜にSi-H結合の量Z(cm-3)がSi/Nの値Xによって数2式(図1の直線)Z=1.58×1022X-9.94×1021で表される近傍の量を含有して形成し、同時にSiN 膜に含まれる、前記Si-H結合の量Zを含めた水素結合量Y(cm-3)が前記の値Xによって、数1式Y=1.01×1022X+0.54×1022で表される近傍の量を含有して形成すると、SiN 膜は波長254nm の紫外線を透過し、膜内応力を低下させると共に高耐湿性の保護膜とする事ができる。
Claim (excerpt)：
窒化シリコンよりなる装置保護膜であって、前記窒化シリコンの構成元素であるシリコンと窒素との比Si/Nの値Xに対して、水素の結合量Yが、【数1】Y=1.01×1022X+0.54×1022で表される近傍の量を含有して形成されると共に、前記水素結合量Xにおいて、シリコンと水素との水素結合量Zが前記シリコンと窒素との比Si/Nの値Xに対して、【数2】Z=1.58×1022X-9.94×1021で表される近傍の量を含有して形成された装置保護膜。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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