Pat
J-GLOBAL ID:200903002388244583

電子部品に埋設するキャパシタ層を形成するために用いる薄い誘電層を備えたキャパシタ材料及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田中 大輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001250322
Publication number (International publication number):2002164253
Application date: Aug. 21, 2001
Publication date: Jun. 07, 2002
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】 層内の微細なボイドまたは他の構造的な欠陥のないキャパシタ材料を提供する。【解決手段】第1導電性層1と、当該第1導電性層1の表面上に位置する第1誘電体層2と、前記第1誘電体層2の上に位置する第2誘電体層5と、前記第2誘電体層5の上に位置する第2導電性層4とからなり、第1導電性層1と第2導電性層4との間に、第1誘電体層2と第2誘電体層5とからなる誘電体層が狭持された構造を持つキャパシタ材料8を用いることによる。
Claim (excerpt):
第1導電性層と、当該第1導電性層表面上に位置する第1誘電体層と、前記第1誘電体層上に位置する第2誘電体層と、前記第2誘電体層上に位置する第2導電性層とからなり、第1導電性層と第2導電性層との間に、第1誘電体層と第2誘電体層とからなる誘電体層が狭持されたキャパシタ材料。
IPC (6):
H01G 4/20 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/18 321 ,  H01G 4/18 330 ,  H01L 25/00 ,  H05K 1/16
FI (6):
H01G 4/20 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/18 321 ,  H01G 4/18 330 A ,  H01L 25/00 B ,  H05K 1/16 D
F-Term (29):
4E351BB03 ,  4E351BB30 ,  4E351BB32 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD08 ,  4E351DD10 ,  4E351DD17 ,  4E351DD19 ,  4E351DD21 ,  4E351DD28 ,  4E351DD48 ,  5E082BC38 ,  5E082EE03 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE25 ,  5E082EE26 ,  5E082EE37 ,  5E082FF14 ,  5E082FF15 ,  5E082FG06 ,  5E082FG07 ,  5E082FG25 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG34 ,  5E082PP09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page