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J-GLOBAL ID：200903002401490270

プラズマ処理装置

Inventor： 福田 琢也 ,  望月 康弘 ,  園部 正 ,  鈴木 和夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立エンジニアリングサービス
Agent (1)： 武 顕次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993030873
Publication number (International publication number)：1993347260
Application date： Sep. 03, 1987
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 プラズマ処理特性を低下させることなく真空容器を小型化したプラズマ処理装置。【構成】 被処理物11が設置される真空容器1は、直径よりも軸長が小さく構成され、その上端のマイクロ波導入窓10から軸方向にマイクロ波3を導入するようマイクロ波導波管2が設けられている。真空容器1の側方には、反応ガス供給管7,8および排気口6が形成され、その上下のそれぞれの側に磁界発生コイル4、5が備えられている。電子サイクロトロン共鳴面は、マイクロ波導入窓10からマイクロ波の波長の(n+1/4)倍(n=0,1,2・・・)の位置にあり、この位置と同一の位置に反応ガス供給管7,8および排気口6が形成されている。

Claim (excerpt)：

内部に被処理物が設置される真空容器と、真空容器に設けたマイクロ波導入窓と、真空容器に設けたガス導入口と、真空容器に設けたガス排気口と、真空容器の外側に配置され真空容器内に電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを生成するために充分な磁場を生成する磁場発生手段とを備え、前記電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成する電子サイクロトロン共鳴面が、マイクロ波導入窓からマイクロ波の波長の(n+1/4)倍(n=0,1,2・・・)の位置にあることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31 ,  H05H 13/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-092443
  
• 特開昭64-064221
  
• 特開昭61-267324
  
• 特開昭59-202635
  
• 特開昭59-161035