Pat

J-GLOBAL ID：200903002403797446

半導体装置の製造方法

Inventor： 對馬 幸治 ,  一戸 裕康 ,  佐藤 隆 ,  木村 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社ルネサス北日本セミコンダクタ
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003355265
Publication number (International publication number)：2005120410
Application date： Oct. 15, 2003
Publication date： May. 12, 2005
Summary：

【課題】スパッタリング装置におけるクランプリングの押さえつけによるウエハのチッピングを防ぐことのできる技術を提供する。【解決手段】ヒートステージ4上にその主面を上向きにしてウエハ8を配置し、ウエハ8の外周領域をクランプリング2により押圧して、ウエハ8をヒートステージ4上に固定する際、ウエハ8のOF側の外周領域がヒートステージ4上に載っているため、クランプリング2がウエハ8を押圧するとウエハ8のOF側の外周領域にクランプリング2の荷重が集中するが、クランプリング2をチタン材により形成し、軽量化を図ることによってウエハ8のOF側の外周領域に集中する荷重を緩和して、ウエハ8のチッピングの発生を防ぐ。【選択図】図5

Claim (excerpt)：

半導体ウエハの主面に物理的成膜手段によって薄膜を成膜する第1の工程を含む半導体装置の製造方法であって、 前記第1の工程は、 (a)成膜装置内に設置されたステージ上に前記主面を上向きにして前記半導体ウエハを配置する工程、 (b)平面環状の固定手段により前記ステージ上に配置された前記半導体ウエハの外周領域を押圧し、前記半導体ウエハを前記ステージに固定する工程、 (c)前記(b)工程後、前記半導体ウエハの前記主面に前記薄膜を成膜する工程、 を含み、 前記固定手段はチタンを主成分とする材料で構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

C23C14/34 ,  H01L21/68

FI (2)：

C23C14/34 J ,  H01L21/68 N

F-Term (8)：

4K029JA01 ,  4K029JA06 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA25 ,  5F031HA28 ,  5F031MA29 ,  5F031PA30