Pat

J-GLOBAL ID：200903002404275729

銅複合材放熱基板、半導体パワーモジュール及びその製造方法

Inventor： 鈴木 清光 ,  近藤 保夫 ,  渡部 典行
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電線株式会社
Agent (1)： 小川 勝男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001226128
Publication number (International publication number)：2003046032
Application date： Jul. 26, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 放熱基板及びこの放熱基板を用いた半導体パワーモジュールを製造が容易で高信頼度に提供すること。【解決手段】 銅複合材混合粉末を、数十〜数百ミクロンの微少な彎曲(反り)を形成した金型に充填し高圧でプレスして半導体パワー素子用の放熱基板の形状の予備成形体(プリフォーム)を造り、この予備成形体を不活性雰囲気中で焼結し前記予備成形体から体積収縮率5〜15%の範囲で収縮した半導体パワー素子の放熱基板用の焼結成形体1を得る。この焼結成形体1に機械加工を施すこと無く、その表面に半導体パワー素子のセラミックス絶縁基板8を金属板7およびろう材6を介して接合するという粉末冶金製造法によるNear Net Shape化技術によって半導体パワー素子用の銅複合材放熱基板を製造する。

Claim (excerpt)：

銅複合材混合粉末を金型に充填し高圧でプレスして半導体パワー素子用の放熱基板の形状の予備成形体を得る予備成形ステップと、得られた予備成形体を不活性雰囲気中で焼結する焼結ステップと、この焼結によって得られた焼結成形体の表面に半導体パワー素子の絶縁板をろう材を介して接合する接合ステップを含むことを特徴とする半導体パワーモジュールの製造方法。

IPC (6)：

H01L 23/14 ,  B22F 3/02 ,  B22F 3/10 ,  B22F 7/08 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (5)：

B22F 3/02 P ,  B22F 3/10 G ,  B22F 7/08 G ,  H01L 23/14 M ,  H01L 25/04 C

F-Term (9)：

4K018AA04 ,  4K018AB01 ,  4K018AC01 ,  4K018BA02 ,  4K018CA11 ,  4K018DA11 ,  4K018DA33 ,  4K018JA16 ,  4K018KA32