Pat

J-GLOBAL ID：200903002416464632

入出力保護回路

Inventor： 藤井 康宏
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993219331
Publication number (International publication number)：1995074353
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】構造上の脆弱部分や電界の集中しやすい部分をなくして、過電圧(電流)耐性を向上すること。【構成】入出力パッド及び第一アルミ配線の形成領域を取り囲むリング状の拡散層を半導体基板内に形成し、拡散層上にリング状のポリシリコンゲートを敷設し、ポリシリコンゲートの敷設ラインに沿って拡散層を2分割し、ポリシリコンゲートの内側の分割拡散部分と第一アルミ配線との間を直接又は抵抗要素を介して接続し、ポリシリコンゲートの外側の分割拡散部分の上に第二アルミ配線を形成し、ポリシリコンゲートの外側の分割拡散部分と第二アルミ配線との間を接続すると共に、ポリシリコンゲートと第二アルミ配線との間を接続し、かつ、ポリシリコンゲートの内側の分割拡散部分と内部回路との間を抵抗要素を介して接続する。

Claim (excerpt)：

入出力パッド(30)と該入出力パッド(30)に接続する第一アルミ配線(31)とを半導体基板上に形成し、前記入出力パッド(30)及び第一アルミ配線(31)の形成領域を取り囲むリング状の拡散層(32)を半導体基板内に形成し、前記拡散層上にリング状のポリシリコンゲート(33)を敷設し、該ポリシリコンゲート(33)の敷設ラインに沿って前記拡散層(32)を2分割し、ポリシリコンゲート(33)の内側の分割拡散部分(32a)と前記第一アルミ配線(31)との間を直接又は抵抗要素(RP )を介して接続し、ポリシリコンゲート(33)の外側の分割拡散部分(32b)の上に第二アルミ配線(35)を形成し、ポリシリコンゲート(33)の外側の分割拡散部分(32b)と第二アルミ配線(35)との間を接続すると共に、ポリシリコンゲート(33)と第二アルミ配線(35)との間を接続し、かつ、ポリシリコンゲート(33)の内側の分割拡散部分(32a)と内部回路との間を抵抗要素(RK 及びRL )を介して接続したことを特徴とする入出力保護回路。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06

FI (5)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 27/06 311 A