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J-GLOBAL ID：200903002420629930
半導体発光素子および光送信用モジュールおよび光通信システム
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005256107
Publication number (International publication number)：2007073584
Application date： Sep. 05, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：
【課題】 窒素(N)とその他のV族元素を含む量子井戸活性層を有する混晶半導体からなる半導体発光素子において、窒素(N)を含みリン(P)を含まない層とリン(P)を含み窒素(N)を含まない層とを歪補償層の構造に含ませる場合に、しきい電流密度の上昇を抑え、良好な特性を得る。【解決手段】 GaAs基板上に形成されている半導体発光素子において、窒素(N)とその他のV族元素を含む圧縮歪を持つ混晶半導体からなる量子井戸活性層を含んでいる活性領域を有し、活性領域には、さらに、窒素(N)を含みリン(P)を含まない1層以上の層とリン(P)を含み窒素(N)を含まない1層以上の層とを少なくとも含んだ多層構造からなる引っ張り歪を有する歪補償層が設けられており、窒素(N)を含みリン(P)を含まない1層以上の層とリン(P)を含み窒素(N)を含まない1層以上の層とは、直接界面を接しない層構成となっている。【選択図】 図2
Claim 1：
GaAs基板上に形成されている半導体発光素子において、窒素(N)とその他のV族元素を含む圧縮歪を持つ混晶半導体からなる量子井戸活性層を含んでいる活性領域を有し、活性領域には、さらに、窒素(N)を含みリン(P)を含まない1層以上の層とリン(P)を含み窒素(N)を含まない1層以上の層とを少なくとも含んだ多層構造からなる引っ張り歪を有する歪補償層が設けられており、窒素(N)を含みリン(P)を含まない1層以上の層とリン(P)を含み窒素(N)を含まない1層以上の層とは、直接界面を接しない層構成となっていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
H01S5/343 610
, H01S5/183
5F173AA01
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC35
, 5F173AC52
, 5F173AF05
, 5F173AF15
, 5F173AH04
, 5F173AJ03
, 5F173AP05
, 5F173AR23
, 5F173AR93
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (3)
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