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J-GLOBAL ID：200903002430978185

超伝導薄膜の形成方法

Inventor： 田中 厚志 ,  渦巻 拓也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992057857
Publication number (International publication number)：1993254993
Application date： Mar. 16, 1992
Publication date： Oct. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 基板上に銅酸化物系超伝導薄膜を物理蒸着法で形成する方法に関し、薄膜の成長時の基板温度を均熱化かつ安定化して良質の超伝導薄膜を形成する方法を提供する。【構成】 加熱した基板上に銅酸化物系超伝導薄膜を物理蒸着法で形成する方法において、赤外線を吸収する層を予め基板の表面に堆積しておいてから、超伝導薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

加熱した基板上に銅酸化物系超伝導薄膜を物理蒸着法で形成する方法において、赤外線を吸収する層を予め前記基板の表面に堆積しておくことを特徴とする超伝導薄膜の形成方法。

IPC (6)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ZAA ,  C23C 14/08 ZAA ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA