SiC基板のケモメカニカル研磨方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005251168
Publication number (International publication number)：2007067166
Application date： Aug. 31, 2005
Publication date： Mar. 15, 2007
Summary：

【課題】コロイダルシリカを砥粒とし、SiC基板を研磨するケモメカニカル研磨方法で、所定の平坦度を得るための高効率の研磨方法を提供する。【解決手段】コロイダルシリカを砥粒とし、回転する研磨バッドに研磨剤を滴下し、被研磨材のSiC基板を当該研磨パッドに所定の圧力で押圧してSiC基板を研磨するケモメカニカル研磨方法において、第1の砥粒分布を有するコロイダルシリカの砥粒とpH調整剤とを含む分散触媒とを混合した研磨剤にて研磨し、次に、前記第1の砥粒分布よりシャープな第2の砥粒分布を有するコロイダルシリカの砥粒とpH調整剤とを含む分散触媒とを混合した研磨剤にて研磨する。【選択図】図12

Claim (excerpt)：

コロイダルシリカを砥粒とし、回転する研磨バッドに研磨剤を滴下し、被研磨材のSiC基板を当該研磨パッドに所定の圧力で押圧してSiC基板を研磨するケモメカニカル研磨方法において、第1の砥粒分布を有するコロイダルシリカの砥粒とpH調整剤とを含む分散触媒とを混合した研磨剤にて研磨し、次に、前記第1の砥粒分布よりシャープな第2の砥粒分布を有するコロイダルシリカの砥粒とpH調整剤とを含む分散触媒とを混合した研磨剤にて研磨することを特徴とするケモメカニカル研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14

FI (3)：

H01L21/304 622D , B24B37/00 H , C09K3/14 550D

F-Term (9)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CA01 , 3C058CA05 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

SiC単結晶基板等の研磨による超平滑結晶面形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-097341 Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-102173 Applicant：富士電機株式会社

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