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J-GLOBAL ID：200903002442970910

半導体装置の製造方法

Inventor： 渡邊 大祐
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991265815
Publication number (International publication number)：1993109679
Application date： Oct. 15, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【構成】半導体ウエハの表面上にフォトレジストを塗布しその上に裏面研削保護用フィルムシートを形成して、この半導体ウエハの裏面を研削する。【効果】裏面研削工程で、半導体ウエハの表面の凹凸が裏面に転写されることが無くなるので研削後の半導体ウエハの裏面が平坦となる。

Claim (excerpt)：

所定の素子や配線を表面側に形成した半導体ウエハの裏面を研削するに際して、裏面研削後に除去可能な層間膜を前記半導体ウエハの表面に形成することによって該半導体ウエハの表面よりも該層間膜の表面を平坦な面とし、該層間膜表面上に裏面研削保護用フィルムシートを形成し、しかる後に前記半導体ウエハの裏面を研削することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 331 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 321

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭62-158332
  
• 特開平2-039432
  
• 特開平3-101128