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J-GLOBAL ID：200903002444577680

半導体レーザ装置

Inventor： 岡 田 眞 琴
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 吉武 賢次 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001016266
Publication number (International publication number)：2002223030
Application date： Jan. 24, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 製造コストを高めることなく、また製造のサイクルタイムを長期化することもなく、さらに等別な器具を付加することなく、互いに波長の異なるレーザ光の反射率の所望の組合せを選択することができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 本発明による半導体レーザ装置は、少なくとも二つのクラッド層とダブルへテロ接合され、波長λ1の第1のレーザ光および波長λ1とは異なる波長λ2の第2のレーザ光をそれぞれ生ずる第1の活性層および第2の活性層と、第1の活性層および第2の活性層の光を取り出す面に積層される第1の端面膜と、第1の端面膜の屈折率と異なる屈折率を有し、第1の端面膜の上に積層される第2の端面膜とを備える。第1の端面膜および第2の端面膜はともに屈折率が約1.7以下であり、第2の端面膜の屈折率は第1の端面膜の屈折率よりも小さい。第1の端面膜の膜厚dは、ほぼ、d=(1/2+j)*(λ1+λ2)/2(ただし、jは整数)を満たす。

Claim (excerpt)：

少なくとも二つのクラッド層とダブルへテロ接合され、波長λ1の第1のレーザ光および前記波長λ1とは異なる波長λ2の第2のレーザ光をそれぞれ生ずる第1の活性層および第2の活性層と、前記第1の活性層および前記第2の活性層の光を取り出す面に積層される第1の端面膜と、前記第1の端面膜の屈折率と異なる屈折率を有し、前記第1の端面膜の上に積層される第2の端面膜と、を備える半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/028 ,  H01S 5/22 610

FI (2)：

H01S 5/028 ,  H01S 5/22 610

F-Term (11)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB06 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA21 ,  5F073DA33 ,  5F073EA04