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J-GLOBAL ID:200903002445497132

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 三好 祥二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001378915
Publication number (International publication number):2003183837
Application date: Dec. 12, 2001
Publication date: Jul. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】半導体製造の昇温工程時のパーティクルの発生を抑制し、半導体装置の品質、歩留りの向上を図る。【解決手段】反応室で基板保持具により保持した基板の温度を処理温度迄上昇させる昇温工程と、反応室内を真空引きする真空引き工程と、反応室内に処理ガスを導入し、基板を処理する処理工程とを有する半導体装置の製造方法に於いて、前記昇温工程に於ける前記反応室の圧力を、前記真空引き工程時の圧力よりも高い圧力で且つ大気圧より低い圧力とする。
Claim (excerpt):
反応室で基板保持具により保持した基板の温度を処理温度迄上昇させる昇温工程と、反応室内を真空引きする真空引き工程と、反応室内に処理ガスを導入し、基板を処理する処理工程とを有する半導体装置の製造方法に於いて、前記昇温工程に於ける前記反応室の圧力を、前記真空引き工程時の圧力よりも高い圧力で且つ大気圧より低い圧力とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3):
C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (3):
C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N
F-Term (16):
4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030JA09 ,  4K030KA24 ,  4K030KA41 ,  5F004AA13 ,  5F004CA02 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 減圧処理方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-344738   Applicant:東京応化工業株式会社
  • 特許第3888430号
  • 特許第3888430号

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