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J-GLOBAL ID：200903002455072334

放射線検出素子用CdTe結晶およびその製造方法

Inventor： 大野 良一 ,  岩瀬 義倫
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993134657
Publication number (International publication number)：1994345598
Application date： Jun. 04, 1993
Publication date： Dec. 20, 1994
Summary：

【要約】【構成】 塩素が微量に添加されたCdTe結晶インゴットもしくはその結晶インゴットから切り出されたウェーハを、250°C以上450°C以下の温度下に少なくも20時間保持される熱処理を行なうようにした。【効果】 キャリア移動度μとキャリアの寿命τとの積μτが2.0×10-3cm2/V以上であるCdTe結晶が得られるとともに、そのようなCdTe結晶を放射線検出素子用として使用するため、X線照射開始後長時間にわたって出力が安定な素子が得られる。

Claim (excerpt)：

キャリア移動度μとキャリアの寿命τとの積μτが2.0×10-3cm2/V以上であることを特徴とする放射線検出素子用CdTe結晶。

IPC (3)：

C30B 29/48 ,  C30B 33/02 ,  G01T 1/20