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J-GLOBAL ID：200903002455541440
伝導度変調型電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994014060
Publication number (International publication number)：1995211895
Application date： Jan. 12, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高速動作が可能な伝導度変調型電界効果トランジスタを提供する。【構成】 P型ドレイン領域21とN+ 型バッファ領域22とN型ドレインドリフト領域23とP型ベース領域24とN型ソース領域25とから成る伝導度変調型電界効果トランジスタにおいて、P型ドレイン領域21とN+ 型バッファ領域22とを多結晶シリコン半導体で形成し、ここでのライフタイムを短くする。
Claim (excerpt)：
第1の導電型のドレイン領域(21)と、該ドレイン領域(21)の一方の主面に隣接する第1の導電型と反対の第2の導電型のバッファ領域(22)と、前記バッファ領域(22)に隣接し且つ前記バッファ領域(22)よりも低い不純物濃度を有している第2の導電型のドレインドリフト領域(23)と、該ドレインドリフト領域(23)に隣接し且つ基板表面に前記ドレインドリフト領域(23)の一部と共にその一部が露出するように形成された第1の導電型のベース領域(24)と、該ベース領域(24)に隣接し且つ前記基板表面に露出するように形成された第2の導電型のソース領域(25)を有し、前記ベース領域(24)の前記ドレインドリフト領域(23)と前記ソース領域(25)の間の部分の表面上に絶縁物層(26)を介してゲート電極(27)が配設されており、前記ベース領域(24)と前記ソース領域(25)はソース電極(29)に電気的に接続されており、前記ドレイン領域(21)はドレイン電極(30)に電気的に接続されている伝導度変調型電界効果トランジスタにおいて、前記ドレインドリフト領域(23)と前記ベース領域(24)と前記ソース領域(25)とが単結晶シリコン半導体から成り、前記ドレイン領域(21)と前記バッファ領域(22)とのいずれか一方又は両方が同一不純物濃度の単結晶シリコン半導体のキャリアのライフタイムよりもキャリアのライフタイムが短い多結晶シリコン半導体又は非晶質シリコン半導体から成ることを特徴とする伝導度変調型電界効果トランジスタ。
Patent cited by the Patent：
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