発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999267827
Publication number (International publication number)：2001028458
Application date： Sep. 21, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】3-5族窒化物化合物半導体を用いた発光素子に関し、特に、異なる色を発する井戸層を積層し、それらの発光を混色して、所望の演色性を有する光を発する発光素子を提供する。【解決手段】本発明による活性層は、Inを含む窒化物化合物半導体からなる少なくとも1つの第1の井戸層と、第1井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Inを含む窒化物化合物半導体からなる少なくとも1つの第2の井戸層と、を備える。これにより、例えば第1井戸層が青色光を、第2井戸層がその補色関係にある黄色光を発光すると、これらの光が混色することにより、1つの発光素子で白色光源を提供することができる。

Claim (excerpt)：

Inを含む窒化物化合物半導体からなる少なくとも1つの第1の井戸層と、該第1井戸層が発する光の主ピーク波長よりも長い主ピーク波長の光を発する、Inを含む窒化物化合物半導体からなる少なくとも1つの第2の井戸層と、を備えた、多重量子井戸構造の活性層を、n型半導体およびp型半導体で挟持することを特徴とする発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 F

F-Term (7)：

5F041AA11 , 5F041AA12 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-188371 Applicant：豊田合成株式会社
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-015171 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-157812 Applicant：日亜化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page