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J-GLOBAL ID:200903002472262554

新規ポリマー

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997035572
Publication number (International publication number):1998053621
Application date: Feb. 04, 1997
Publication date: Feb. 24, 1998
Summary:
【要約】 (修正有)【課題】解像性能、パターン側壁、焦点深度余裕度、処理時間経過に対するパターン寸法の変化、基板依存性の良好なポリマー。【解決手段】式[1][式中、R1びR2は水素原子又は低級アルキル基を表し、R3及びR4は水素原子又はハロゲンで置換されていてもよいアルキル基を表し、また、両者が結合してアルキレン環を形成していてもよい、R5はハロゲンで置換されていてもよいアルキル基又はアラルキル基を表し、R6は置換基を有していてもよいフェニル基、アルキル基で置換されていてもよいカルボキシル基又はシアノ基を表し、m及びnは1以上の整数を表し、kは0又は1以上の整数を表す{但し、0.1≦(m+k)/(m+n+k)≦0.9であり、且つ0≦k/(m+n+k)≦0.25である。}。]で表される構造を有し、分散度が1以上1.5未満であるポリマー、及びこれを含んでなるレジスト材料。
Claim (excerpt):
一般式[1]【化1】[式中、R1びR2は夫々独立して水素原子又は低級アルキル基を表し、R3及びR4は夫々独立して水素原子又はハロゲンで置換されていてもよいアルキル基を表し、また、両者が結合してアルキレン環を形成していてもよい(但し、R3及びR4が共に水素原子の場合は除く。)、R5はハロゲンで置換されていてもよいアルキル基又はアラルキル基を表し、R6は置換基を有していてもよいフェニル基、アルキル基で置換されていてもよいカルボキシル基又はシアノ基を表し、m及びnは1以上の整数を表し、kは0又は1以上の整数を表す{但し、0.1≦(m+k)/(m+n+k)≦0.9であり、且つ0≦k/(m+n+k)≦0.25である。}。]で表される構造を有し、分散度が1以上1.5未満であるポリマー。
IPC (6):
C08F212/14 MJU ,  C08K 5/41 ,  C08L 25/16 KGA ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027
FI (6):
C08F212/14 MJU ,  C08K 5/41 ,  C08L 25/16 KGA ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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