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J-GLOBAL ID：200903002485932508
位相シフタ配置方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992152310
Publication number (International publication number)：1993341497
Application date： Jun. 11, 1992
Publication date： Dec. 24, 1993
Summary：
【要約】【目的】 位相シフトマスクにおけるパタンで構成されるLSIのマスクパタンにおいて、位相シフタの作用を必要とする全ての近接し合うパタンに対して、近接し合うパタンの透過光の位相を異なるようにすることができるか否かを容易に判定できるようにすることによって、LSIのマスクパタンの作成効率を向上させる。【構成】 パタンを表わす各節点が、一のパタンを表す節点と該一のパタンに対して解像限界以下の距離を隔てて近接するパタンを表す節点とを結ぶ枝によりそれぞれ結ばれたパタン近接グラフを作成し、該パタン近接グラフにおいて奇数本の枝で構成された閉ループが存在するか否かを判断する(ステップSA7)。ここで、上記閉ループが存在しないことにより、位相シフタの作用を必要とする全ての近接し合うパタンに対して近接し合うパタンの透過光の位相を異なるようにすることができることが判る一方、上記閉ループが存在することにより、位相シフタの作用を必要とする近接し合うパタンの中で近接し合うパタンの透過光の位相を異なるようにすることができないものが存在することが判る。
Claim (excerpt)：
LSI製造のリソグラフィ工程においてウェーハ上に微細パタンを形成するために使用する位相シフトマスクにおけるLSIのマスクパタンの構成要素であるパタンに対して位相シフタを配置する位相シフタ配置方法であって、上記パタンに対応して表された各節点が、上記パタンのうちの一のパタンを表す節点と該一のパタンに対して所定距離以下で近接するパタンを表す節点とを結ぶ枝によりそれぞれ結ばれたパタン近接グラフを作成する工程と、該工程において作成されたパタン近接グラフにおいて奇数本の枝で構成された閉ループが存在するか否かを判断する工程とを有することを特徴とする位相シフタ配置方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
