磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平木祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000008172
Publication number (International publication number)：2001202604
Application date： Jan. 17, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】高出力な強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【解決手段】強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子1に隣接して高偏極スピン注入層11を備え、高スピン偏極電子をTMR素子内に注入することで、従来TMR素子より磁気抵抗効果を増大させる。

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果膜と前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流すための電極を備えた磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜は強磁性自由層、絶縁障壁層、強磁性固定層及び反強磁性層を含む強磁性トンネル型磁気抵抗効果膜であり、高偏極スピン注入層が前記強磁性自由層に隣接して設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。

F-Term (4)：

5D034BA05 , 5D034BA08 , 5D034BA21 , 5D034CA00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

磁気センサー、磁気ヘッド及び磁気ディスク装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-269111 Applicant：富士通株式会社
スピン伝導素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-267626 Applicant：株式会社東芝
磁気抵抗デバイス及び斯種のデバイスを用いる磁気ヘッド
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-510707 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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