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J-GLOBAL ID:200903002487116163

磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 平木 祐輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000008172
Publication number (International publication number):2001202604
Application date: Jan. 17, 2000
Publication date: Jul. 27, 2001
Summary:
【要約】【課題】 高出力な強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【解決手段】 強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子1に隣接して高偏極スピン注入層11を備え、高スピン偏極電子をTMR素子内に注入することで、従来TMR素子より磁気抵抗効果を増大させる。
Claim (excerpt):
磁気抵抗効果膜と前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流すための電極を備えた磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜は強磁性自由層、絶縁障壁層、強磁性固定層及び反強磁性層を含む強磁性トンネル型磁気抵抗効果膜であり、高偏極スピン注入層が前記強磁性自由層に隣接して設けられていることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
F-Term (4):
5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA21 ,  5D034CA00

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