マイクロ波発振器

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002020230
Publication number (International publication number)：2003224420
Application date： Jan. 29, 2002
Publication date： Aug. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】発振素子として用いるFETのゲート電圧を制御することで、発振周波数の温度変動を抑制することができるマイクロ波発振器を得る。【解決手段】発振素子としてのFET2と、前記FET2に接続された共振回路8と、前記FET2のゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路とを有し、前記FET2のドレイン・ソース間電圧を負としたマイクロ波発振器において、抵抗14a、14bを並列接続したサーミスタ13a、13bに他の抵抗15a、15bを直列に接続した回路を2つ直列に接続し、その中点を出力として前記FET2のゲート電圧を制御する温度補償回路10を備える。また、前記温度補償回路の出力にオペアンプ20を接続する。

Claim 1：

発振素子としての電界効果トランジスタ(以下、FETと称す)と、前記FETに接続された共振回路と、前記FETのゲートバイアス回路及びドレインバイアス回路とを有し、前記FETのドレイン・ソース間電圧を負としたマイクロ波発振器において、抵抗を並列接続したサーミスタに他の抵抗を直列に接続した回路を2つ直列に接続し、その中点を出力として前記FETのゲート電圧を制御する温度補償回路を備えたことを特徴とするマイクロ波発振器。

IPC (2)：

H03B 5/04 , H03B 5/18

FI (2)：

H03B 5/04 D , H03B 5/18 D

F-Term (19)：

5J081AA11 , 5J081CC17 , 5J081DD04 , 5J081DD24 , 5J081EE02 , 5J081EE03 , 5J081EE10 , 5J081EE18 , 5J081FF05 , 5J081FF07 , 5J081FF23 , 5J081FF28 , 5J081GG07 , 5J081KK02 , 5J081KK09 , 5J081KK12 , 5J081KK22 , 5J081LL03 , 5J081MM01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開昭55-079506
温度補償型発振装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-172632 Applicant：株式会社富士通ゼネラル
発振器の温度補償回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-307723 Applicant：ダイナミクス・コーポレーション・オブ・アメリカ

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