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J-GLOBAL ID：200903002493600549

ドライエッチング方法、及び半導体基体の作製方法

Inventor： 中西 宏一郎
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 西山 恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999330180
Publication number (International publication number)：2001148365
Application date： Nov. 19, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 エッチング面における垂直性や平滑性の良好な半導体基板のエッチング方法を提供する。【解決手段】 誘導結合型のエッチング装置を用いるドライエッチング方法において、エッチングガスとして塩素ガスを含み、かつアルゴンガス及び窒素ガスを含まない雰囲気中であって、かつ塩素ガスの流量が0.0025Pa・m3/sec以上0.034Pa・m3/sec以下で当該エッチングを行なう。

Claim (excerpt)：

誘導結合型のエッチング装置を用いるドライエッチング方法において、エッチングガスとして塩素ガスを含み、かつアルゴンガス及び窒素ガスを含まない雰囲気中であって、かつ塩素ガスの流量が0.0025Pa・m3/sec以上、0.034Pa・m3/sec未満であることを特徴とするドライエッチング方法。

F-Term (7)：

5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB18 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DB20 ,  5F004EB04