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J-GLOBAL ID：200903002503490160
半導体レーザエージング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992344725
Publication number (International publication number)：1994194405
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 チップ電極に無理な力を加えず、しかもチップの熱を効率よく放熱してエージング処理を行う。【構成】 レーザチップ12を、熱伝導の良い基板4及び押圧板1に備えられた、接触抵抗が低く柔軟な2つのIn電極2,2によりサンドイッチ状に挾み込み、ある温度で順方向に一定電流を印加、または定光出力駆動により通電エージングを行う。In電極2がチップ電極になじんで面接触するため、チップの熱を十分にIn電極2を通して放熱でき、しかもチップ電極に無理な力を加えることがない。
Claim (excerpt)：
加圧部材と、試験用電極とを有し、半導体レーザチップのエージング処理を行う半導体レーザエージング装置であって、加圧部材は、加圧力を加えて半導体レーザチップの電極と試験用電極とを接触させるものであり、試験用電極は、半導体レーザチップの電極に対応して配設され、抵触抵抗が低く、加圧部材による加圧力を受けて塑性変形する柔軟な素材からなり、使用時に半導体レーザチップの電極面に面接触させるものであることを特徴とする半導体レーザエージング装置。
IPC (3)：
G01R 31/26
, H01L 21/66
, H01S 3/18
