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J-GLOBAL ID：200903002504520160

半導体装置

Inventor： 佐藤 恵二 ,  斉藤 豊 ,  赤嶺 忠男 ,  山中 順子
Applicant, Patent owner： セイコー電子工業株式会社
Agent (1)： 林 敬之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994271473
Publication number (International publication number)：1996139356
Application date： Nov. 04, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】 静電容量が小さくかつ照度-短絡電流特性に飽和特性をもち大電流対策の特別の回路構成が必要でないPINダイオード半導体装置を実現する。【構成】 N- 型半導体基板1にP+ 型不純物領域2とその電極であるアノード電極5が形成され反対側の面には裏面のN+ 型不純物領域3が形成され、アノード電極5と支持基体の導体部7とはワイヤボンデング9により、裏面のN+ 型不純物領域3と支持基体の導体部8とは導電接着剤10により直接なされている。

Claim (excerpt)：

低濃度の第1導電型シリコン半導体基板に高濃度の第1導電型不純物領域および高濃度の第2導電型不純物領域を有するPINダイオードよりなる半導体装置において、前記高濃度の第1導電型または前記高濃度の第2導電型不純物領域の不純物領域と外囲器あるいは支持基体の導電部との電気的接触が導電性接着剤により高濃度不純物領域と直接形成していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/09

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 31/00 A