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J-GLOBAL ID:200903002513985701

電界効果トランジスタ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 松下 亮 ,  西山 善章
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008093896
Publication number (International publication number):2009246276
Application date: Mar. 31, 2008
Publication date: Oct. 22, 2009
Summary:
【課題】GaN系化合物半導体による電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極及びソース電極間及び/又はゲート電極及びドレイン電極間に、外部負荷からの逆起電力等のサージ電圧や静電気からトランジスタを有効に保護するためのダイオードを内蔵させる。【解決手段】基板上に少なくともバッファ層を含む下部半導体層104と、電子走行層及び電子供給層により形成された半導体動作層105と、当該半導体動作層105の上に形成されたソース電極13、ドレイン電極12及びゲート電極14を有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極14及びソース電極13間と、ゲート電極14及びドレイン電極12間と、の何れか一方又は両方に並列接続されるダイオードが、前記の各電極間であって半導体動作層105から下部半導体層104に至る溝により形成される。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上に少なくともバッファ層を含む下部半導体層と、当該下部半導体層上に形成された半導体動作層と、当該半導体動作層の上に形成されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる電界効果トランジスタにおいて、 前記ゲート電極及び前記ソース電極間と、前記ゲート電極及び前記ドレイン電極間と、の何れか一方又は両方に並列接続されるダイオードが、前記電極間であって前記半導体動作層表面から前記半導体動作層と前記下部半導体層との界面近傍に至る溝により形成されたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (6):
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06
FI (5):
H01L29/80 P ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301K ,  H01L27/06 F
F-Term (36):
5F102FA06 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21 ,  5F140AA38 ,  5F140AB06 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA17 ,  5F140BB03 ,  5F140BF07 ,  5F140BF15 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BF43 ,  5F140BH41 ,  5F140BJ11 ,  5F140BK29 ,  5F140DA08
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2001-259661   Applicant:株式会社デンソー
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-233200   Applicant:富士通株式会社
  • 化合物半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-137127   Applicant:富士通株式会社
Cited by examiner (2)
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-233200   Applicant:富士通株式会社
  • 化合物半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-137127   Applicant:富士通株式会社

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