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J-GLOBAL ID：200903002515221385

酸化シリコン膜の製造方法

Inventor：
水野 雅夫

About 水野 雅夫


Applicant, Patent owner：
株式会社神戸製鋼所

About 株式会社神戸製鋼所


Agent (3)： 梶 良之 ,  須原 誠 ,  竹中 芳通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008034818
Publication number (International publication number)：2009191331
Application date： Feb. 15, 2008
Publication date： Aug. 27, 2009
Summary：
【課題】基材上に酸化シリコン膜を形成するに際し、大気圧プラズマを利用することにより、減圧装置などの複雑化による装置全体の大型化や装置コストの上昇を招くことなく、かつ、焼付け処理や乾燥処理が不要な簡易な方法で大型の基材の成膜を行うことができるようにした、酸化シリコン膜の製造方法を得ること。【解決手段】表面にハイドロジェン変性シリコーンが塗布された基材を、互いに対向する電極間に配置し、大気圧雰囲気下において前記電極間に高周波電力又は直流電力を印加して発生させたグロー放電プラズマにより前記基材表面におけるハイドロジェン変性シリコーンを分解し、前記基材上に酸化シリコン膜を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
表面にハイドロジェン変性シリコーンが塗布された基材を、互いに対向する電極間に配置し、大気圧雰囲気下において前記電極間に高周波電力又は直流電力を印加して発生させたグロー放電プラズマにより前記基材表面におけるハイドロジェン変性シリコーンを分解し、前記基材上に酸化シリコン膜を形成することを特徴とする酸化シリコン膜の製造方法。
IPC (1)：
C23C 16/42
FI (1)：
C23C16/42
F-Term (15)：
4K030AA00 ,  4K030AA16 ,  4K030BA44 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030DA02 ,  4K030EA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030KA16 ,  4K030KA23 ,  4K030LA24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (5)
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