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J-GLOBAL ID：200903002524027362

半導体装置

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
張 宏勇

About 張 宏勇

, 
竹村 保彦

About 竹村 保彦


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005025325
Publication number (International publication number)：2005142592
Application date： Feb. 01, 2005
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：
【課題】 薄膜トランジスタにおいて、結晶性の制御をおこなうことによって、その信頼性を向上させる構成を提供する。【解決手段】 基板上に形成された1つの島状の結晶シリコン領域に、Nチャネル型TFTのチャネル形成領域及び少なくとも2つのN型不純物領域、並びにPチャネル型TFTのチャネル形成領域及び少なくとも2つのP型不純物領域が形成され、前記N型不純物領域の1つと前記P型不純物領域の1つは接しており、当該接している部分は重金属を含み、前記Nチャネル型TFTと前記Pチャネル型TFTはCMOS型のTFTという構成により、課題を解決する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
基板上に形成された1つの島状の結晶シリコン領域に、Nチャネル型TFTのチャネル形成領域及び少なくとも2つのN型不純物領域、並びにPチャネル型TFTのチャネル形成領域及び少なくとも2つのP型不純物領域が形成され、 前記N型不純物領域の1つと前記P型不純物領域の1つは接しており、当該接している部分は重金属を含み、 前記Nチャネル型TFTと前記Pチャネル型TFTはCMOS型のTFTを構成していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786
FI (3)：
H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 613A
F-Term (43)：
5F052AA17 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ18 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HM14 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-048534   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開昭61-201460
  • 特開平2-042419
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Cited by examiner (8)
  • 半導体装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-048534   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開昭61-201460
  • 特開平2-042419
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