半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008280740
Publication number (International publication number)：2009027198
Application date： Oct. 31, 2008
Publication date： Feb. 05, 2009
Summary：

【課題】ウェハのエッジにおける薄膜の剥離に起因する異物の発生を防ぐ。【解決手段】たとえば3個の研磨ドラム4A〜4Cを用いてウェハ1のエッジの全域を研磨する。研磨ドラム4Aは相対的にウェハ1のエッジの上面側を研磨し、研磨ドラム4Bは相対的にウェハ1のエッジの中央を研磨し、研磨ドラム4Cは相対的にウェハ1のエッジの下面を研磨する。それにより、種々のウェハ1のエッジ形状に対して、そのエッジ全域において成膜された薄膜を除去することができる。【選択図】図4

Claim 1：

(a)平坦な素子形成面と、それに対向する平坦な裏面と、前記平坦な面に対して角度がついた領域を含むエッジ部とを有する半導体ウェハを準備する工程、 (b)前記半導体ウェハの表面に積層構造の金属膜を形成する工程、 (c)前記エッジ部における前記金属膜を複数の研磨ドラムを用いて研磨する工程、を含み、前記(c)工程は、 (c-1)前記平坦な素子形成面および裏面に対して垂直な回転軸を有する第1の研磨ドラムにて、前記エッジ部の端部を研磨する工程、 (c-2)前記平坦な素子形成面および裏面に対して傾斜した回転軸を有する第2の回転ドラムにて、前記エッジ部の前記素子形成面側を研磨する工程、 (c-3)前記平坦な素子形成面および裏面に対して傾斜した回転軸を有する第3の回転ドラムにて、前記エッジ部の前記裏面側を研磨する工程、を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 , B24B 9/00

FI (3)：

H01L21/304 621E , H01L21/304 622X , B24B9/00 601H

F-Term (10)：

3C049AA06 , 3C049AA07 , 3C049AA09 , 3C049AA13 , 3C049AA14 , 3C049AA18 , 3C049CA05 , 3C049CB03 , 3C049CB04 , 3C049CB09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-234347 Applicant：株式会社東芝
特開昭64-71656号公報
ワークエッジの研磨方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-285988 Applicant：スピードファム株式会社

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Cited by examiner (14)

金属膜の研磨方法及びその研磨装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-123940 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-234347 Applicant：株式会社東芝
半導体基板の面取加工装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-121879 Applicant：ソニー株式会社

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