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J-GLOBAL ID:200903002529925342
金属配線の形成方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996132380
Publication number (International publication number):1997321023
Application date: May. 27, 1996
Publication date: Dec. 12, 1997
Summary:
【要約】【課題】 金属膜をパターニングする際、レジストの細りを防止すると共に、スパッタされた金属膜がレジスト側壁に付着することを防止して、高精度の金属配線の加工が可能となる金属配線の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 配線パターンにパターニングしたレジスト20をマスクとして、有機反射防止膜18とタングステン膜16との選択比が十分に低い条件により、第1ステップのドライエッチングを行い、有機反射防止膜18の平坦な表面が転写される形でエッチングを進行させ、タングステン膜16表面の凹凸形状部分を平坦にエッチングする。残りのタングステン膜16について、レジスト20に対するタングステン膜16の選択比が十分に高い条件により第2ステップのドライエッチングを行い、レジスト20の配線パターンを忠実に転写して、所定の微細な配線パターンのタングステン配線16aを高精度に形成することができる。
Claim (excerpt):
基板上に、金属膜を形成する第1の工程と、前記金属膜上に、表面が平坦な反射防止膜を形成する第2の工程と、前記反射防止膜上に、所定の形状にパターニングしたレジストを形成する第3の工程と、前記レジストをマスクとして、前記反射防止膜と前記金属膜との選択比の低い条件により、前記反射防止膜及び前記金属膜をエッチングする第4の工程とを含むことを特徴とする金属配線の形成方法。
IPC (4):
H01L 21/3065
, H01L 21/28
, H01L 21/027
, H01L 21/3213
FI (4):
H01L 21/302 J
, H01L 21/28 F
, H01L 21/30 574
, H01L 21/88 D
Patent cited by the Patent:
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