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J-GLOBAL ID：200903002532892811

半導体レーザ装置

Inventor： 穴山 親志 ,  近藤 真人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991321853
Publication number (International publication number)：1993160504
Application date： Dec. 05, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 クラッド層の構造に特徴を有する高出力半導体レーザ装置に関し、キャリアのオーバフローとサーモアイオニック遷移効果を低減した、低しきい値電流,高効率,短波長,高出力特性を有する半導体レーザ装置を提供する。【構成】 第1導電型(p型)のクラッド層が、活性層(5)に近い側から、活性層(5)との間に大きいヘテロ障壁を有し、基板(例えばGaAs)(1)と格子整合しない組成(例えばAl0.42In0.58P)を有し、臨界膜厚より薄い、第1のキャリアオーバフロー防止層となる第1クラッド層(6)と、活性層(5)との間に大きいフェルミ準位差と高いヘテロ障壁を有し、高濃度ドーピングされ、かつ、基板(1)と格子整合し、第2のキャリアオーバフロー防止層となる厚い第2クラッド層(例えば(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 P)(7)の2層で構成する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された第1導電型のクラッド層が、活性層に近い側から、活性層との間に大きいヘテロ障壁を有し、基板と格子整合しない組成を有し、臨界膜厚より薄い、第1のキャリアオーバフロー防止層となる第1クラッド層と、活性層との間に大きいフェルミ準位差と高いヘテロ障壁を有し、高濃度ドーピングされ、かつ、基板と格子整合し、第2のキャリアオーバフロー防止層となる厚い第2クラッド層、の2層で構成されたことを特徴とする半導体レーザ装置。