炭化ケイ素への不純物ドーピング方法および電極形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994217085
Publication number (International publication number)：1996264468
Application date： Sep. 12, 1994
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】低温でSiCに不純物元素をドーピングする方法を提供することである。【構成】 p型またはn型の不純物元素を含む反応ガス2の雰囲気中にn型またはp型のSiC基板1を配置し、室温でSiC基板1の表面にエキシマレーザ光3をパルス状に照射する。これにより、反応ガス2中の不純物元素がSiC基板1にドープされ、SiC基板1の表面から所定の深さにp型またはn型の不純物ドープ層4が形成される。

Claim (excerpt)：

不純物元素を含むガス雰囲気中に炭化ケイ素を配置し、前記炭化ケイ素にレーザ光を照射することにより前記炭化ケイ素に前記不純物元素をドーピングすることを特徴とする炭化ケイ素への不純物ドーピング方法。

IPC (5)：

H01L 21/22 , H01L 21/268 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 29/872

FI (5)：

H01L 21/22 E , H01L 21/268 Z , H01L 21/28 A , H01L 21/28 301 F , H01L 29/48 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平1-261878
特開平4-250617
特開平2-065128

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