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J-GLOBAL ID:200903002539956610

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998113699
Publication number (International publication number):1999307771
Application date: Apr. 23, 1998
Publication date: Nov. 05, 1999
Summary:
【要約】【課題】 寄生容量が極めて小さく、且つ比較的容易に製造することができ、MOSFETやバイポーラ・トランジスタなどに適用して好適な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 フィールド酸化膜で囲まれたシリコン基板を種に、シリコン結晶を横方向にも成長させ、フィールド酸化膜上にも形成する。その後、このシリコン結晶層にトランジスタを形成する。これによって、ソースおよびドレインの接合容量が大幅に低減され、素子の高速動作が可能となる。また、SOI基板を使わなくとも同等の性能を得られるので、コストダウンに大きく寄与する。また、バイポーラ・トランジスタを形成すればベース・コレクタ間容量を大幅に低減でき、さらなる高速化を図ることができる。さらに、BiCMOSに応用して同様の効果を得ることができる。
Claim (excerpt):
第1導電型の半導体からなるソース領域と、第1導電型の半導体からなるドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に設けられた第2導電型の半導体からなるチャネル領域と、絶縁膜を介して前記チャネル領域上に形成されたゲートとを備えた半導体装置であって、前記ソース領域と前記ドレイン領域とは、それぞれ素子分離絶縁層の上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6):
H01L 29/78 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73
FI (4):
H01L 29/78 301 S ,  H01L 27/06 101 U ,  H01L 27/06 321 A ,  H01L 29/72

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