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J-GLOBAL ID：200903002540477505

AlGaInP系半導体レーザとその製法

Inventor： 池田 昌夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994162774
Publication number (International publication number)：1995147459
Application date： Jun. 21, 1994
Publication date： Jun. 06, 1995
Summary：

【要約】【目的】 良質なエピタキシャル成長によって結晶性にすぐれたAlGaInP系半導体レーザを構成する。【構成】 少なくとも第1のクラッド層23と、平坦状に形成された活性層24と、第2のクラッド層25とを有するAlGaInP系半導体レーザにおいて、その第1のクラッド層23と、活性層24と、第2のクラッド層25のうちの少なくとも一部に凹凸を有し、この凹凸の両側に光の閉じ込めあるいは電流狭搾の少なくともいづれか一方の機能を有するAlGaAsまたはGaAs系半導体層37が形成された構成とする。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1のクラッド層と、平坦状に形成された活性層と、第2のクラッド層とを有するAlGaInP系半導体レーザにおいて、前記第1のクラッド層と、活性層と、第2のクラッド層のうちの少なくとも一部に凹凸を有し、この凹凸の両側に光の閉じ込めあるいは電流狭搾の少なくともいづれか一方の機能を有するAlGaAsまたはGaAs系半導体層が形成されてなることを特徴とするAlGaInP系半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-129473
  
• 特開昭54-096386
  
• 特開昭58-209117