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J-GLOBAL ID：200903002540650355

電子機器、半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  永井 雅晴 ,  中村 理
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003308135
Publication number (International publication number)：2005078946
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】 本発明は、EL表示装置を大型化することなく、EL素子の特性を劣化させる原因である侵入する水分や酸素を遮断し、信頼性の高いEL表示装置と、その作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、高耐熱性平坦化膜16、代表的にはシリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成されるTFTの層間絶縁膜(後に発光素子の下地膜となる膜)の形成方法として塗布法を用い、成膜後に端部または開口部をテーパー形状とする。その後、比較的原子半径の大きい不活性元素を添加することによって歪みを与え、表面(側壁を含む)を改質、または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する。【選択図】 図2

Claim 1：

一対の基板間に発光素子を配列して形成された表示部を有する発光装置であって、 前記発光素子は、一方の基板に形成した高耐熱性平坦化膜上に形成され、 前記一対の基板は、前記表示部の外周を囲むシール材により固着され、 前記高耐熱性平坦化膜の端部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加されていることを特徴とする発光装置。

IPC (7)：

H05B33/14 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22

FI (10)：

H05B33/14 A ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 342Z ,  G09F9/00 343Z ,  G09F9/30 309 ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 365Z ,  H05B33/04 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 Z

F-Term (72)：

2H092GA12 ,  2H092HA04 ,  2H092HA28 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092JB61 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092NA11 ,  2H092NA25 ,  3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007BA06 ,  3K007BB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  3K007GA00 ,  5C094AA03 ,  5C094AA15 ,  5C094AA32 ,  5C094AA38 ,  5C094AA43 ,  5C094AA48 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA12 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DB02 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FA03 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB05 ,  5C094FB15 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094HA10 ,  5C094JA09 ,  5C094JA20 ,  5G435AA02 ,  5G435AA13 ,  5G435AA17 ,  5G435AA18 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH14 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10 ,  5G435LL07 ,  5G435LL14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• 有機EL素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-306143   Applicant：パイオニア株式会社, 東北パイオニア株式会社
• 発光装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-338454   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電気光学装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-100257   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 発光装置および電気器具
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-136181   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-025731   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-042044   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (4)

• 表示装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-042044   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 表示装置及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-025731   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 発光装置および電気器具
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-136181   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 電気光学装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-100257   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所