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J-GLOBAL ID：200903002557553671

ハイブリッド型薄膜光電変換装置の製造方法

Inventor： 吉見 雅士 ,  澤田 徹
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001035300
Publication number (International publication number)：2002246618
Application date： Feb. 13, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 高い光電変換効率を有するハイブリッド型薄膜光電変換装置を低コストでかつ高い生産効率で提供する。【解決手段】 ガラス基板1上において、p型層3p、非晶質i型光電変換層3iおよびn型層3nを含む少なくとも1の非晶質光電変換ユニット3と、その上に形成されたp型層4p、結晶質i型光電変換層4iおよびn型層4nを含む少なくとも1の結晶質光電変換ユニット4とを含むハイブリッド型薄膜光電変換装置の製造方法は、結晶質i型光電変換層4iをプラズマCVDで堆積する条件として、下地温度が150°C以上で200°C未満の範囲内にあり、プラズマ反応室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、かつシラン系ガスに対する水素ガスの流量比が50倍以上であり、プラズマ反応室内の圧力が600Pa以上に設定されることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

透明絶縁基板上において、1導電型半導体層、実質的に真性半導体の非晶質光電変換層および逆導電型半導体層を含む少なくとも1の非晶質光電変換ユニットと、前記非晶質光電変換ユニット上に形成された1導電型層、実質的に真性半導体の結晶質光電変換層および逆導電型半導体層を含む少なくとも1の結晶質光電変換ユニットとを含むハイブリッド型薄膜光電変換装置の製造方法であって、前記結晶質光電変換層をプラズマCVDで堆積する条件として、下地温度が150°C以上で200°C未満の範囲内にあり、プラズマ反応室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスを含み、かつシラン系ガスに対する水素ガスの流量比が50倍以上であり、前記プラズマ反応室内の圧力が600Pa以上に設定されることを特徴とする製造方法。

FI (2)：

H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 W

F-Term (8)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CA37 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17